CVD設備
您當前的位置 : 首 頁 > 新聞中心 > 公司動態

磁控濺射設備的原理是什么?

2020-07-17 08:26:58

磁控濺射系統的原理是稀薄氣體在反常輝光 放電發生的等離子體在電場的效果下,對陰極靶 材外表進行炮擊,把靶材外表的分子、原子、離子 及電子等濺射出來,被濺射出來的粒子帶有必定 的動能,沿必定的方向射向基體外表,在基體表 面構成鍍層。

濺射鍍膜開始呈現的是簡略的直流二極濺 射,它的長處是設備簡略,可是直流二極濺射沉 積速率低;為了堅持自我克制放電,不能在低氣壓下進行;不能濺射絕緣資料等缺陷限 制了其使用。在直流二極濺射設備中添加一個 熱陰極和輔佐陽極,就構成直流三極濺射。添加 的熱陰極和輔佐陽極發生的熱電子增強了濺射 氣體原子的電離,這樣使濺射即使在低氣壓下 也能進行;別的,還可下降濺射電壓,使濺射在低 氣壓,低電壓狀態下進行;一起放電電流也增大, 并可獨立操控,不受電壓影響。在熱陰極的前面 添加一個電極(柵網狀),構成四極濺射設備,可 使放電趨于穩定??墒沁@些設備難以取得濃度較 高的等離子體區,堆積速度較低,因而未取得廣 泛的工業使用。

磁控濺射是由二極濺射基礎上開展而來,在靶材外表樹立與電場正交磁場,處理了二極濺射 堆積速率低,等離子體離化率低一級問題,成為現在鍍膜工業首要辦法之一。磁控濺射與其它鍍膜 技能比較具有如下特色:可制備成靶的資料廣, 簡直一切金屬,合金和陶瓷資料都可以制成靶 材;在恰當條件下多元靶材共濺射方式,可堆積配比準確穩定的合金;在濺射的放電氣氛中加入 氧、氮或其它活性氣體,可堆積構成靶材物質與 氣體分子的化合物薄膜;經過準確地操控濺射鍍膜進程,簡單取得均勻的高精度的膜厚;經過離 子濺射靶資料物質由固態直接轉變為等離子態, 濺射靶的安裝不受限制,適合于大容積鍍膜室多 靶布置設計;濺射鍍膜速度快,膜層細密,附著性 好等特色,很適合于大批量,高效率工業生產。近 年來磁控濺射技能開展很快,具有代表性的辦法 有射頻濺射、反響磁控濺射、非平衡磁控濺射、脈 沖磁控濺射、高速濺射等。

磁控濺射設備


標簽

上一篇:沒有了

最近瀏覽:

va欧美国产在线视频_亚洲欧美成aⅴ人在线观看_日本不卡一区二区高清更新