CVD設備
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CVD設備的沉積制法

2021-01-06 14:01:25

CVD設備制法是將工件置于有氫氣保護的爐內,加熱到800℃以上高溫,向爐內通入反應氣體,使之在爐內熱解,化合成新的化合物沉積在工件表面。在模具的應用中其覆膜厚度一般為6~10μm。


CVD法具有如下特點:可在大氣或低于大氣壓下進行沉積金屬、合金、陶瓷和化合物涂層,能在形狀復雜的基體上或顆粒材料上沉積涂層。涂層的化學成分和結構較易準確控制,也可制備具有成分梯度的涂層。涂層與基體的結合力高,設備簡單操作方便,但它的處理溫度一般為900~1200℃,工件被加熱到如此高的溫度會產生以下問題:


1)工件易變形,心部組織惡化,性能下降。


2)有脫碳現象,晶粒長大,殘留奧氏體增多。

CVD設備

3)形成ε相和復合碳化物。


4)處理后的母材必須進行淬火和回火。


5)不適用于低熔點的金屬材料。


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